东芝推出用于IGBT／MOSFET栅极驱动的薄型封装顶峰值输出电流光耦
2021-12-10 09:09
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日颁发 ，， ，，，， ，推出选取薄型SO6L封装的两款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H” ，， ，，，， ，可在幼型IGBT／MOSFET中用作绝缘栅极驱动IC。。 。。。。。这两款器件于今日起头支持批量出货。。 。。。。。
TLP5705H是东芝首款选取厚度仅有2.3毫米（最大值）的薄性封装（SO6L）可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。。 。。。。。传统选取缓冲电路进行电放逐大的中幼型逆变器与伺服放大器等设备 ，， ，，，， ，此刻可直接通过该光耦驱动其IGBT／MOSFET而无需任何缓冲器。。 。。。。。这将有助于削减部件数量并实现设计幼型化。。 。。。。。
TLP5702H的峰值输出电流额定值为±2.5A。。 。。。。。SO6L封装可兼容东芝传统的SDIP6封装的焊盘[1] ，， ，，，， ，便于代替东芝现有产品[2]。。 。。。。。SO6L比SDIP6更纤薄 ，， ，，，， ，可能为电路板组件布局提供更高的矫捷性 ，， ，，，， ，并支持电路板背面装置 ，， ，，，， ，或用于器件高度受限的新型电路设计。。 。。。。。
这两款光耦的最高工作温度额定值均达到125℃（Ta＝-40℃至125℃） ，， ，，，， ，使其更容易设计和维持温度裕度。。 。。。。。
此表 ，， ，，，， ，东芝提供的同系列器件还蕴含TLP5702H（LF4）与TLP5705H（LF4） ，， ，，，， ，选取SO6L（LF4）封装的引线成型选项。。 。。。。。
利用
工业设备
-
工业逆变器、互换伺服驱动器、光伏逆变器、UPS等。。 。。。。。
个性
-
顶峰值输出电流额定值（@Ta＝-40℃至125℃）
IOP＝±2.5A（TLP5702H）
IOP＝±5.0A（TLP5705H） -
薄型SO6L封装
-
高工作温度额定值：Topr（最大值）＝125℃
重要规格
（℃除非还有注明 ，， ，，，， ，@Ta＝-40℃至125）
注：
[1] 封装高度：4.25毫米（最大值）
[2] 现有产品：选取SDIP6封装的TLP700H
如需相识有关新产品的更多信息 ，， ，，，， ，请复造以下链接进行接接见：
TLP5702H
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/photorelay-mosfet-output/detail.TLP5702H.html
TLP5705H
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/photorelay-mosfet-output/detail.TLP5705H.html
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